### K6A50D-VB MOSFET 产品简介K6A50D-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和中等电流应用而设计。该器件的漏源极电压 (VDS
2025-09-12 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K5A50D-VB MOSFET 产品简介K5A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计，具有650V的漏源电压（VDS）。该器件
2025-09-12 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K4A50D-VB MOSFET 产品简介K4A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于需要650V电压的应用。该 MOSFET 具有最大栅
2025-09-12 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
描述12位1.8 GSPS ADC12D1800RF是一款RF采样GSPS ADC，可以直接对最高2.7 GHz及以上的输入频率进行采样。ADC12D1800RF扩大了TI GSPS ADC的很大奈
2023-12-21 11:36 深圳芯领航科技有限公司 企业号
**产品简介** K7A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装设计。该器件的漏极-源极电压（VDS）高达 650V，使其特别适用于高压应用。其栅极
2025-09-12 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 - K8A50D-VBK8A50D-VB是一款单N沟道的功率MOSFET，采用TO220F封装，具有出色的耐高压能力和低导通电阻。其最大漏源电压为650V，栅源电压为±30V，能够
2025-09-12 17:55 微碧半导体VBsemi 企业号
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2022-12-17 10:40 深圳市安通泰达科技有限公司 企业号
简介GZ-1800-H 是 一 台 专 门 设 计 给GZ-1800 攻击式ULV 静电工作站监测器使用的联网路由器(Router)，它具有 4 个以 LED显示的连接
2023-01-13 17:11 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
1.2 dB，抑制为 25 至 50 dB，上抑制为 25 至 50 dB。标签： 带连接器的模块。FLP-1800 的更多细节可以在下面看到。产品规格产品详情零件号
2023-05-15 11:56 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
，插入损耗 3 dB，抑制 25 至 50 dB，功率 1 W。标签：带连接器的模块。有关 FB-1800 的更多详细信息，请参见下文。产品规格产品详情零件号FB-1
2023-05-09 11:59 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
