VBsemi的MOSFET产品18N60L-T47-T-VB是一款单通道N沟道器件，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。该
2024-07-08 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP18T10GP-HF-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有100V的漏
2024-12-17 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的18T10GP-VB是一款单N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），和1.8V的阈值电压（Vth）。它采用
2024-07-08 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的18N40L-T47-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高性能和可靠性。该器件适用于需要高电压和高电流的应用，如电源管理和电机
2024-07-08 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介：AP18T10GP-VB 是一款单N沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用TO220封装。它具有中等电压耐受能力（最大100V VDS）、低导通电阻（RDS
2024-12-17 10:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 产品简介VBsemi 15N60L-T47-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar工艺制造，具有高电压承受能力和低导通电阻。该
2024-07-06 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 DSPIC33EP128GP506T-I/PT 产品概述
2025-02-10 20:54 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### AP18N20GP-HF-VB 产品简介AP18N20GP-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为高电压和高电流应用设计。其先进的沟槽型技术和低导通电阻使其
2024-12-16 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：9N90L-T47-T-VB**9N90L-T47-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有高达900V的漏源电压额定值，适合
2024-11-27 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP42T03GP-VB产品简介AP42T03GP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，设计用于高电流和高效能的应用。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），采用先进
2024-12-18 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
