### 一、AP42T03GP-VB产品简介AP42T03GP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，设计用于高电流和高效能的应用。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），采用先进
2024-12-18 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介42T03GP-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。具有30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS），适用于低电压功率管理和开关应用。采用Trench技术
2024-11-08 14:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP18T10GP-HF-VB 是一款单 N-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有100V的漏
2024-12-17 10:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的18T10GP-VB是一款单N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS），和1.8V的阈值电压（Vth）。它采用
2024-07-08 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介：AP18T10GP-VB 是一款单N沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用TO220封装。它具有中等电压耐受能力（最大100V VDS）、低导通电阻（RDS
2024-12-17 10:54 微碧半导体VBsemi 企业号
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2024-10-12 15:53 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
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2023-01-11 14:16 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
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2025-02-10 20:54 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### AP18N20GP-HF-VB 产品简介AP18N20GP-HF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220封装，专为高电压和高电流应用设计。其先进的沟槽型技术和低导通电阻使其
2024-12-16 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
