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型号：<b class='flag-s-7'>10N62K</b>3-VB 品牌：微碧

### 10N62K3-VB 产品简介10N62K3-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有650V的漏源极电压（VDS），能够承受高压环境中的操作

2024-07-04 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N60K</b>-VB 品牌：微碧

### 10N60K-VB 产品简介#### 一、产品简介10N60K-VB 是一种高性能的单通道N型MOSFET，采用TO220F封装技术。它具有高电压、高电流的特点，能够承受650V的漏源电压

2024-07-04 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SJ3.5-<b class='flag-s-7'>N</b> <b class='flag-s-7'>LED</b> 品牌：

参数表节选：的技术参数  SJ3,5-N LED通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR槽宽3,5 mm浸入深度（横向）5 ... 7 mm ，类型 6 mm输出类型2 线额定值

2022-09-14 13:19 上海冠宁科技发展有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N65K</b>-VB 品牌：微碧

**产品简介：**VBsemi的10N65K-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压

2024-07-04 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N95K</b>5-VB TO220F 品牌：微碧

**10N95K5-VB 产品简介：**10N95K5-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，封装为 TO220F。它具有高达 900V 的漏极-源极电压（VDS），以及额定为 ±30V 的门源极

2024-07-05 11:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N95K</b>5-VB TO220 品牌：微碧

**产品简介：**VBsemi的10N95K5-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET，具有900V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压

2024-07-05 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SJ5-<b class='flag-s-7'>K-N</b> 品牌：

参数表节选：的技术参数  SJ5-K-N通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR槽宽5 mm浸入深度（横向）8 ... 10 mm ，类型 9 mm输出类型2 线额定值额定电压

2022-10-18 13:11 上海冠宁科技发展有限公司 企业号

型号：YNH-431<b class='flag-s-7'>主板</b> 品牌：音诺恒

1.产品介绍      YNH-431属于商显智能安卓主板，是一款高效、安全、可靠的产品，具有丰富的控制接口和外拓接口，该产品广泛应用在智慧显示终端、工业自动化终端

2021-07-29 09:49 音诺恒 企业号

型号：HN15<b class='flag-s-7'>N10</b>DA 品牌：

深圳市三佛科技有限公司供应100V  TO-252 15A汽车LED灯MOS管HN15N10DA，原装，库存现货 HN15N10DA 参数：100V 15A  

2022-11-22 16:49 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N65K</b>3-VB TO220F 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi的10N65K3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），和3.5V

2024-07-04 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号