产品阐述 玻璃光纤适用的光纤传感器通用规格传感器范围可达 100 mm(LMR 18-3.2-1.0-K4)检测范围可达 600 mm(LME 18-2.3-0.5-K3)光源LED光源
2022-08-22 13:55 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### NCE20H11K-VB 产品简介NCE20H11K-VB 是一款高效能的单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，专为低电压、高电流应用设计。该器件具有20V的漏源电压（VDS
2025-10-13 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K11A65D-VB 产品简介K11A65D-VB 是一款高电压单 N-沟道 MOSFET，专为高效能电源管理和控制应用而设计。该器件具有最高漏源极电压 (VDS) 达650V，适用于
2025-09-10 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、NCEP40T11K-VB 产品简介 NCEP40T11K-VB是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装，专为高效率和高电流应用设计。其具有40V的漏源
2025-10-14 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：S11B-PH-K-S(LF)(SN)详细描述：针座连接器 通孔，直角 11 位置 0.079"（2.00mm）类别：连接器，互连器件矩形连接器 - 针座，公插针系列：PH连接器类型：接头触头
2022-04-22 14:55 深圳市骏创达科技有限公司 企业号
型号：B11B-PH-K-S(LF)(SN)详细描述：针座连接器 通孔 11 位置 0.079"（2.00mm）类别：连接器，互连器件矩形连接器 - 针座，公插针系列：PH连接器类型：接头触头类型
2022-04-21 18:11 深圳市骏创达科技有限公司 企业号
### 一、K11A55D产品简介K11A55D是一款高性能单N沟道MOSFET，设计用于高压电力应用。它采用TO220F封装，具有650V的最大漏源极电压（VDS），非常适合在高电压和高功率的电路
2025-09-10 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介K11A45D-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压和高电流应用设计。其最大漏源电压（VDS）为650V，最大栅源电压（VGS）为±30V，能够在苛刻
2025-09-10 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
