### 一、K2099-01S-VB产品简介K2099-01S-VB是一款高压单N沟道MOSFET,封装类型为TO252,专为高电压应用设计。其最大漏源电压(VDS)为250V,能够承受较高的电压
2025-09-29 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### K2469-01MR-VB MOSFET 产品简介K2469-01MR-VB是一款高性能单N通道MOSFET,采用**TO220F封装**,专为高压电源应用设计。该器件的**漏极到源极电压
2025-09-11 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### K2292-01S-VB MOSFET 产品简介K2292-01S-VB 是一款高效能的单N通道MOSFET,专为中低压电源管理和开关应用设计。其**漏极到源极电压(VDS)**为
2025-09-29 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### K2018-01-VB 产品简介K2018-01-VB 是一款高效能 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为低电压、高电流应用而设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为
2025-09-29 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介K1507-01-VB是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为650V电压应用设计。该器件结合了优秀的导通性能和可靠性,适合在高电压开关和电源管理应用中使用。凭借其
2025-09-10 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### K1819-01MR-VB 产品简介K1819-01MR-VB 是一款高性能单N通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,专为高电压和中等电流应用而设计。其最大漏源电压(VDS)可达
2025-09-10 16:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### K2022-01M-VB 产品简介K2022-01M-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,专为高电压和中等功率应用设计。该器件具有高达650V的漏源电压(VDS
2025-09-10 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### K2248-01L-VB MOSFET 产品简介K2248-01L-VB 是一款高效能的单N通道MOSFET,专为低电压、高电流应用而设计。其**漏极到源极电压(VDS)**为**30V
2025-09-29 16:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### K2020-01MR-VB 产品简介K2020-01MR-VB是一款高电压单N通道MOSFET,采用TO220F封装,专为高压应用而设计。其最大漏源电压(VDS)可达到650V,使其适用于
2025-09-10 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号