3Ctest/3C测试中国TR系列浪涌冲击电流传感器TR系列电流传感器均采用输出阻抗50欧姆设计，在测量端高输入阻抗（1MΩ）的情况下，所有电流传感器的测量精度均为±1%，当采用50欧姆输入阻抗时，输出信号将衰减至一半。
2021-03-08 10:15
波前时间 Tf，(浪涌电压)一个为 30% 峰值和 90% 峰值两点之间所对应时间间隔 T 的 1.67 倍的虚拟参数。（浪涌电流）一个为 10% 峰值和 90% 峰值两点之间所对应时间间隔 T 的 1.25 倍的虚拟参数。
2020-06-19 10:26
不同的电子、电气产品标准对浪涌（冲击）抗扰度试验的要求是不同的，但这些标准关于浪涌（冲击）抗扰度试验大多都直接或间接引用GB/T17626.5-1999 （idt IE
2020-10-27 14:50
浪涌抗扰度主要考察电气和电子设备对由开关和雷电瞬变过电压引起的单极性浪涌（冲击）抗扰度。
2019-11-28 17:16
半导体激光器本身的性质决定其抗浪涌冲击能力差，这就要求驱动电源的稳定度高，浪涌冲击小，因此驱动电源中需要各种保护电路以满足实际要求。
2019-10-12 15:47
我司近期整改4GWiFi模组PCB板，因客户做成成品后发现存在一定不良的烧机情况，怀疑为小浪涌击穿造成。在没有进行整改情况下按照浪涌波形为 8/20us 2Ω对5V供电端进行浪涌
2023-07-07 11:09
通流容量，即最大峰值电流值（maximum peak current），即压敏电阻能够承受的波形为8/20uS（业界浪涌测试标准波形）的最大浪涌电流峰值。目前压敏电阻器的手册中通常给出两个能量容量的参数，一个是一次8/20uS
2019-09-19 09:27
为避免剩余电流保护器（以下简称RCD）在配电线路中的误动作，RCD需要经过EMC试验，其中EMC试验条款里包含3000A浪涌电流对RCD冲击的性能试验。
2020-11-20 17:01
可控硅体积更小，且纯半导体控制不会产生物理开合时可能产生的火花，在早期继电器承受开合浪涌冲击的能力较弱时，可控硅可以更好地克服继电器在使用过程中由于触点粘连而导致的失效问题。
2022-12-05 10:22
