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型号：点光谱共焦<b class='flag-s-7'>测量</b>显微<b class='flag-s-7'>系统</b> 品牌：

产品介紹—— 点光谱共焦测量显微系统是一种可达次级微米级的非接触式位移量测系统，对于表面漫反射或镜反射之物体乃至透明材质皆可测量其位移或厚度，基于出光与回传讯

2023-05-16 15:46 普密斯光学 企业号

型号：APM3054<b class='flag-s-7'>NDC</b>-TRLG-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详述：APM3054NDC-TRLG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用先进的槽沟技术（Trench）制造。其封装为 SOT89，具有低导通电阻和高效能耗特性，适合

2024-12-30 17:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NDC</b>631N-VB 品牌：微碧

NDC631N-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管，丝印标识为VB7322。该器件采用SOT23-6封装，具有30V的漏极-源极电压承受能力，6A的漏极电流承受能力，以及RDS(ON)为30m

2024-06-11 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM2054<b class='flag-s-7'>NDC</b>-TRL-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介APM2054NDC-TRL-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于低压和中等功率应用场合。其封装为 SOT89，具有较低的导通电

2024-12-27 16:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MetX<b class='flag-s-7'>系统</b> 品牌：

 MetX多元传感测量系统  轮廓扫描、对比—— 系统展示案例 1.软件可自动寻边扫描整个闭合曲线，并与导入的CAD理论曲线做轮廓比对，并输出图形报告;2.可

2024-01-11 15:11 普密斯光学 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>NDC</b>651N-VB 品牌：微碧

**产品简介：**NDC651N-VB是VBsemi品牌推出的N-Channel沟道场效应管，具有30V的耐压和6A的耐电流能力。该器件在VGS=10V时，具有30mΩ的RDS(ON)，并在VGS

2024-06-11 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM3040<b class='flag-s-7'>NDC</b>-TRLG-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介详述：APM3040NDC-TRLG-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），采用了Trench技术制造，封装形式为SOT89。它具有低导通电阻和适中的电流处理能力，适用于

2024-12-30 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM2030<b class='flag-s-7'>NDC</b>-TRL-VB 品牌：微碧

### 产品简介详述：APM2030NDC-TRL-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管（MOSFET），采用沟道技术（Trench），适用于中功率应用。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），最大

2024-12-27 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM3023<b class='flag-s-7'>NDC</b>-TRL-VB 品牌：微碧

### 产品简介详细：APM3023NDC-TRL-VB 是一款单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造，封装为SOT89。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），适合中低

2024-12-30 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：APM2050<b class='flag-s-7'>NDC</b>-TRLG-VB 品牌：微碧

### 产品简介详细：APM2050NDC-TRLG-VB 是一款单路N沟道场效应管，采用先进的Trench技术制造。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），适合需要中低压电路设计的应用。该器件在

2024-12-27 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号