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2024-11-11 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPP65R660CFD-VB 产品简介IPP65R660CFD-VB 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装,采用Super Junction(SJ)技术中的多重外延
2025-09-01 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPW65R190CFD-VB 产品简介IPW65R190CFD-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO247封装。该MOSFET 具有650V的击穿电压和160mΩ的导通电
2025-09-02 13:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPW65R420CFD-VB 产品简介IPW65R420CFD-VB 是一款N沟道功率MOSFET,采用TO-247封装,基于平面技术(Plannar Technology)制造。这款
2025-09-02 13:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:IPD65R660CFD-VB是一款高耐压单N沟道MOSFET,采用TO252封装,设计用于需要高电压和中等电流的应用。其最大漏源电压(VDS)为700V,能够处理高达±30V的栅
2025-08-27 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPP65R310CFD-VB 产品简介IPP65R310CFD-VB 是一种采用 TO220 封装的单N沟道功率MOSFET,设计用于高压应用。该器件采用了超结多重外延技术
2025-09-01 14:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 24N60CFD-VB 产品简介**24N60CFD-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET,采用 TO220 封装,具有高电压和高电流处理能力。它采用
2024-07-10 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPP65R190CFD-VB 产品简介IPP65R190CFD-VB 是一款高性能单通道N型功率MOSFET,采用TO-220封装,设计用于处理高电压和高电流应用。该器件具有650V
2025-09-01 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号