电子发烧友
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2017年3月13日，圣地亚哥——派更半导体公司首席执行官Jim Cable今日宣布，派更
2017-05-16 16:35
RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司宣布推出单片100瓦功率限幅器UltraCMOS® PE45361。作为派
2017-05-16 16:27
(Peregrine)半导体公司宣布，其可立即量产供应UltraCMOS 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派更的高频产品组合扩展至以往由砷化镓(GaAs)技术主导的频段。
2017-05-17 12:07
RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司宣布，其可立即量产供应UltraCMOS® 60 GHz RF SOI开关。PE42525和PE426525将派
2017-05-16 16:20
RF SOI（射频绝缘体上硅）的发明者及先进射频解决方案的先驱派更（Peregrine）半导体公司推出UltraCMOS® PE42562、PE42582和PE42512高掷数射频开关。经过优化
2017-05-16 16:31
半导体放电管
2024-06-11 13:45
半导体放电管
2024-06-11 13:45
半导体放电管
2024-06-11 13:45
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:25
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:21
