本篇主要针对CMOS电平，详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可
2020-12-23 16:06
闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一种危险的寄生效应，可能导致芯片瞬间失效甚至永久烧毁。它的本质是由芯片内部的寄生PNP和NPN双极型晶体管（BJT）相互作用，形成类似可控硅（SCR）的结构，在特定条件
2025-10-21 17:30
闩锁效应（Latch-up）是CMOS工艺中一种寄生效应，通常发生在CMOS电路中，当输入电流过大时，内部电流急剧增加，可能导致电路失效甚至烧毁芯片，造成芯片不可逆
2024-12-27 10:11
在CMOS电路中，存在寄生的PNP和NPN晶体管,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片，这就是闩锁效应，简称latch-up。
2025-07-03 16:20
络中存在由于用户位置的远近而造成的远近效应现象。 CDMA网络与GSM网络完全不同，由于不再把信道和用户分开考虑，也就没有了传统的覆盖和容量之间的区别。
2017-12-12 12:51
1、CMOS是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 3、CMOS
2017-12-19 12:38
本文主要介绍了场效应管发热严重的原因以及场效应管的工作原理。场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。由于电路设计、频率太高、
2018-01-30 15:13
本文首先介绍了压电效应的概念，其次介绍了压电效应的发现，最后介绍了压电效应的应用现状。
2019-07-18 16:08
但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
2017-05-20 10:35
压电效应可分为正压电效应和逆压电效应，本文主要介绍了压电效应的原理与逆压电效应的原理及应用。
2017-12-20 17:37
