本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04
方案标题:单路沟槽式厕所节水器的改进,方案概述:单路沟槽式节水器在理论的基础上可以达到。对于不同的场合所达到的效果是不一样的，所以本人发现这个节水器在学校这种流动人口较大的场合在它的那个范围内处于一
2013-11-16 00:04
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 原文地址：http://kte99.com/Article/MOSguanzhongga_1.html沟槽MOS管 中高
2012-06-20 16:24
三个电极透过介质膜上的金属层连接在一起。插件钨填充：填充接触钨；并对插件钨和晶体管的介质膜进行抛光，把多余的钨去除，使钨只存放在接触孔的内部。10、 金属—1:晶体管形成介质膜后，挖沟槽填充铜（Cu
2016-07-13 11:53
`Alpha and Omega Semiconductor AOD409MOSFET 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON). 具有 -55°C 至 +150°C
2019-03-13 10:54
化。但是，像碳化硅这样的宽带隙（WBG）器件也给应用研发带来了设计挑战，因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。碳化硅MOSFET
2022-03-29 10:58
SRAM是当今处理器上最普遍的内存。当芯片制造商宣布他们已经成功地将更多的电路封装到芯片上时，通常是较小的晶体管引起了人们的注意。但是连接晶体管形成电路的互连也必须收缩。IMEC的研究人员提出了一个
2020-05-11 15:40
采用沟槽型、低导通电阻碳化硅MOSFET芯片的半桥功率模块系列 产品型号 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽车级全碳化硅半桥MOSFET模块Pcore2
2023-02-27 11:55
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55
