大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温栅
2024-01-04 09:41
更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复
2018-08-20 17:26
随着集成电路密度的不断提高，多晶硅栅的线宽不断变小，栅氧化层的厚度继续变薄，多晶硅的刻蚀变得越来越关键。多晶硅栅的形貌控制，栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注。多晶硅刻蚀中的另一种现象
2017-12-20 11:31
VGSth 所有mosfet源的特性都非常接近。关于计算，栅电压(V)GATE_max) 总是小于VGSth 在所有mosfet中，那么模块将总是能够在关闭状态下开关MOS(如果MOS没有损坏)。R33/R86的比例
2018-09-23 11:17
绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。
2019-02-06 18:22
在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点，成为新一代电力电子器件的代表
2025-01-06 17:01
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说，水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大，这将导致沟槽（包含接触孔）的深宽比（aspect ratio）也随之提高，为避免沟槽填充过程中产生空穴
2025-05-21 17:50
在我们进入超结MOSFET的细节之前，我们先了解一些背景知识。
2024-10-15 14:47
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
