高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 原文地址：http://kte99.com/Article/MOSguanzhongga_1.html沟槽MOS管 中高
2012-06-20 16:24
日益增长的电力需求。在这篇文章中，我将探讨如何实现。 为何选择GaN？当涉及功率密度时，GaN为硅MOSFET提供了几个主要优点和优势，包括：•较低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01
生长。 3 沟槽双扩散型场效应晶体管 从图2的结构知道，对于单位面积的硅片，如果要减小功率MOSFET的导通电阻，就要提高晶胞单位密度，也就是要减小每个晶胞单元的尺寸，即要减小栅极的所占用的面积。如果采用图
2016-10-10 10:58
重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。（2
2017-01-09 18:00
`Alpha and Omega Semiconductor AOD409MOSFET 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON). 具有 -55°C 至 +150°C
2019-03-13 10:54
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动
2021-09-17 07:19
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet
2023-06-16 06:04
磁栅位移传感器是一种采用电磁方法记录磁波数目的位置检测传感器。具有制作简单，安装调整方便，对使用环境的条件要求低，对周围磁场抗干扰能力强，在油污、粉尘较多的场合下使用稳定性好，测量范围宽，测量精度
2017-07-13 11:32
MOSFET教程
2020-05-24 09:22
