随着微电子行业的发展，微处理器正在代代更新，其性能更是迅速提高（如工作频率越来越高等），这就要求其电流不断增大。同时，为了降低功耗，电源电压必须不断降低。下一
2008-11-14 15:42
生长。 3 沟槽双扩散型场效应晶体管 从图2的结构知道，对于单位面积的硅片，如果要减小功率MOSFET的导通电阻，就要提高晶胞单位密度，也就是要减小每个晶胞单元的尺寸，即要减小栅极的所占用的面积。如果采用图
2016-10-10 10:58
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07
压大功率MOSFET 100V-250V产品特征1、低导通电阻，低栅极电荷2、高散热能力，高结温下，大电流持续导通能力3、高EAS能力。（100%UIS测试）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04
最大的连续漏极电流ID的计算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)为在最大工作结温TJ下，功率MOSFET的导通电阻；通常，硅片允许的最大工作结温为150℃。热阻RqJC的测量可以参见文章：
2016-08-15 14:31
`功率MOSFET入门`
2012-08-15 13:15
功率MOSFET的高效热管理
2019-02-03 21:16
MOSFET功率损耗的详细计算
2023-09-28 06:09
Ciss和QG。图4：功率MOSFET开通损耗开通损耗没有考虑在开通过程中，Coss的放电产生的损耗，低压的应用Coss放电产生的损耗可以忽略，而高压的应用中，Coss放电产生的损耗甚至比上面的开通损耗还要大，因此在
2017-02-24 15:05
