随着微电子行业的发展，微处理器正在代代更新，其性能更是迅速提高（如工作频率越来越高等），这就要求其电流不断增大。同时，为了降低功耗，电源电压必须不断降低。下一
2008-11-14 15:42
近些年来，采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET 功率开关的性能迅速提高。本文对该方面的新
2008-11-14 15:43
沟槽栅低压功率MOSFET的发展-减小漏源通态电阻Rds(on):近些年
2009-12-13 20:02
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面
2023-04-27 11:55
对于低压功率沟槽MOSFET的开关性能，栅－漏电荷Qgd是一个重要的参数。本文利用数值模拟软件TCAD（器件与工艺计算机
2010-08-02 16:31
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型
2023-06-25 17:19
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
在全球电力电子领域，英飞凌科技以其卓越的技术创新能力和领先的产品质量赢得了广泛赞誉。近日，该公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，标志着功率系统和能
2024-03-12 09:53
了市场上第一款SiC MOSFET，采用平面栅结构的CMF20120D。到了2015年，罗姆率先实现沟槽栅结构SiC MOSFE
2023-03-18 00:07
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™
2024-03-20 10:32
