，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22
，RF 功率 MOSFET是手机基站中成本最高的元器件。一个典型的手机基站中RF部分的成本约6.5万美元，其中功率放大器的成本就达到4万美元。功率放大器元件的年销售额约
2019-07-08 08:28
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代
2019-08-09 07:03
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘
2020-04-07 09:00
康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题，耗尽型MOSFET、JFET中都有提到，都是在栅源电压等于0的时候
2019-04-08 03:57
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离
2021-01-22 06:45
包括分立绝缘栅双极晶体管 (IGBT)、MOSFET或集成功率模块 (IPM) 的倒相级。该系统通常需要一个偏置电源，以向控制器单元提供5VDC或3.3VDC供电或向栅极驱动器提供12V或15V供电。图
2018-08-29 14:51
意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压
2019-08-09 07:28
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01
