本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58
无不积极研发经济型高性能碳化硅功率器件，例如Cascode结构、碳化硅MOSFET平面栅结构、碳化硅MOSFET沟槽
2022-03-29 10:58
，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07
两种原子存在，需要非常特殊的栅介质生长方法。其沟槽星结构的优势如下（图片来源网络）：平面vs沟槽SiC-MOSFET采用沟槽
2019-09-17 09:05
一统天下的纵向结构功率MOSFET，也有可能吸纳横向结构而为低压器件注入新的发展方向。 (2）降低JFET电阻 为降低JFET电阻，很早就采用了一种工艺，即增加所夹
2019-06-14 00:37
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
2025-01-04 12:37
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC
2018-11-30 11:35
也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义，以及它们的定义条件。1、功率
2016-12-23 14:34
