更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
绝缘闸双极电晶体（IGBT）是一种少数载子功率元件，拥有高输入阻抗和高双极电流功能，这些特性使其适用于多种电力电子产品，特别是马达驱动器、不断电系统（UPS）、再生能源系统、焊接机、电磁炉，以及其他须支援高电流和高电压的逆变器（Inverter）应用。
2013-08-28 10:13
相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于栅极-源极阈值电压（VGS（th））大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS（on）），减少了-55℃至175℃温度范围内的传导损耗。
2023-07-06 09:55
沟槽信号弹性座封闸阀能够任何位置装置，维修便当，其密封件能够换，密封性能牢靠到达双向密封零走漏。沟槽式信号软密封闸阀密封资料耐老化、耐弱腐蚀，运用寿命长。 沟槽信号弹性
2022-10-25 15:38
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43
日前发布的器件在小型封装内含有高性能n沟道沟槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。稳压器静态工作电流低，峰值效率达98 %，减少功率损耗。
2021-03-24 16:58
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，拓宽其SOT-227封装电源模块产品线，将有七款新器件采用ThunderFET® 功率MOSFET和标准、FRED Pt® 和沟槽式MOS势垒肖特基（TMBS®）二极
2018-07-02 14:35
涡轮沟槽信号蝶阀结构非常的简单，阀体的体积小，操作灵活方便，对于涡轮沟槽信号蝶阀，只需要用手旋转手轮处90度后，即可完成相应的操作，非常的简便简单，涡轮沟槽信号蝶阀对于流体设备的控制性能非常的作用
2022-10-25 15:34
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说，水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大，这将导致沟槽（包含接触孔）的深宽比（aspect ratio）也随之提高，为避免沟槽填充过程中产生空穴
2025-05-21 17:50
新洁能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET产品是基于传统沟槽式MOSFET的改进版本，其出色的导通电阻、品质因子和快速硬开关能力，为电源设计人员提供了解决提高系统效率
2024-11-30 09:18
