更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说，水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大，这将导致沟槽（包含接触孔）的深宽比（aspect ratio）也随之提高，为避免沟槽填充过程中产生空穴
2025-05-21 17:50
：微沟槽缺陷（microtrench defect）也显得越发重要。该现象会造成器件的大面积漏电，严重杀伤每一个管芯，造成硅片的报废。作者通过相关试验，从工艺参数的角度对微沟槽缺陷的形成和控制做了讨论,对主要工艺参数对微沟槽
2017-12-20 11:31
汽车和清洁能源领域的制造商需要更高效的功率器件，能够适应更高的电压，拥有更快的开关速度，并且比传统硅基功率器件提供更低的损耗，而沟槽结构的 SiC 功率器件可以实现这一点。
2024-10-16 11:36
对于系统设计而言，人们总是尽可能地采用最理想的解决方案来达到最高效的设计。与平面整流器相比，沟槽肖特基整流器让我们与理想的解决方案更近一步。
2023-02-08 09:16
在沟槽蚀刻的实验中，达到的深度是由电流密度控制的，而不是沿GaN晶格的m轴或a轴的掩模取向。短宽度孔径掩模的沟槽蚀刻速率在约30μm深度处减慢。研究人员认为，这是由于紫外线辐射难以到达沟槽底部的蚀刻前沿。他们补充说，
2018-09-05 16:12
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26
