方案标题:单路沟槽式厕所节水器的改进,方案概述:单路沟槽式节水器在理论的基础上可以达到。对于不同的场合所达到的效果是不一样的，所以本人发现这个节水器在学校这种流动人口较
2013-11-16 00:04
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04
高效的400-800V充电和转换与GaNFast功率集成电路和GeneSiC沟槽辅助平面栅场效晶体管
2023-06-16 10:07
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 原文地址：http://kte99.com/Article/MOSguanzhongga_1.html沟槽MOS管 中高
2012-06-20 16:24
描述单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅
2021-11-17 06:41
说明WPM3401是P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管高单元密度，DMOS沟槽技术。这么高密度过程特别适合于最小化耐受状态。 这些设备特别适合适用于低压应用，笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路
2021-12-31 08:23
可说是以TN型为原点来加以改良。同样的，它的运作原理也较其它技术来的简单，请读者参照下方的图片。图中所表示的是TN型液晶显示器的简易构造图，包括了垂直方向与水平方向的偏光板，具有细纹沟槽的配向膜，液晶
2018-11-23 16:33
，高压器件的主要设计平台是基于平面技术。这个时候，有心急的网友就该问了，超级结究竟是何种技术，区别于平面技术，它的优势在哪里？各位客官莫急，看完这篇文章你就懂了！平面式高压MOSFET的结构图1显示了
2017-08-09 17:45
平面式高压MOSFET的结构图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻，并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低
2018-10-17 16:43
`Alpha and Omega Semiconductor AOD409MOSFET 采用先进的沟槽技术，可提供低至 40 mΩ 的出色 RDS(ON). 具有 -55°C 至 +150°C
2019-03-13 10:54
