本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
横向导电的MOSFET，如下图所示，这个结构及其工作原理以前的文章介绍过：功率MOSFET的结构及特点，其由三个电极：G栅极、D漏极和S源极组成。图1：平面横向导电MOSFET灰色Gate栅极的宽度
2017-01-06 14:46
生长。 3 沟槽双扩散型场效应晶体管 从图2的结构知道，对于单位面积的硅片，如果要减小功率MOSFET的导通电阻，就要提高晶胞单位密度，也就是要减小每个晶胞单元的尺寸，即要减小栅极的所占用的面积。如果采用图
2016-10-10 10:58
结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以发现，超结型结构实际是综合了平面型和沟槽型结构两者的特点，是在平面型结构中开一个低
2018-10-17 16:43
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55
铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述： AP2222D采用先进的沟槽技术 可提供出色的RDS（ON） 低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作 该器件适用于用作
2024-10-08 11:34
通过导电沟道进入垂直的N+区，中和N+区的正电荷空穴，从而恢复被耗尽的N+型特性，因此导电沟道形成，垂直N+区掺杂浓度高，具有较低的电阻率，因此导通电阻低。比较平面结构和沟槽结构的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45
也是基于电容的特性，下面将从结构上介绍这些寄生电容，然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义，以及它们的定义条件。1、功率MOSFET数据表的寄生电容沟槽型功率
2016-12-23 14:34
` 谁来阐述一下mosfet是什么型器件？`
2019-10-25 16:06
谁来阐述一下mosfet是电压型器件吗
2019-10-25 15:58
