更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复
2018-08-20 17:26
JFET的全称为结型场效应晶体管，MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型
2023-11-07 14:36
图2.2是现代CMOS 器件剖面的示意图。一般来说，水平方向的尺寸微缩幅度比垂直方向的幅度更大，这将导致沟槽（包含接触孔）的深宽比（aspect ratio）也随之提高，为避免沟槽填充过程中产生空穴
2025-05-21 17:50
型MOSFET作为MOSFET的一种重要类型，在电子设计和工程领域中有着其独特的地位。本文将对耗尽型MOSFET的基本概
2024-05-12 17:19
本文首先介绍了电场传感器的概念，然后解释了电场传感器的应用原理，最后提出了电场传感器的部分应用。
2019-08-01 11:46
在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能;为了获得更高的性能，该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。
2022-10-27 09:35
功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化，表现出非线性的特性，超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术，如图1所示。相对于传统的平面结构，超结结构将P
2021-05-02 11:41
电场线、电场强度、电势和电势能是描述电场特性的重要概念，它们之间有密切的联系。本文将探讨这些概念的本质以及它们之间的关系。 首先，我们来了解电场线。
2024-02-26 16:06
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道
2023-04-13 09:40
