碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等特性，在新能源、智能电网以及电动汽车等多个领域展现出广阔的应用前景。其中，沟槽型SiC
2025-02-02 13:49
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-
2018-12-05 10:04
2023年8月1日，九峰山实验室6寸碳化硅（SiC）中试线全面通线，首批沟槽型MOSFET器件晶圆下线。实验室已具备碳化硅外延、工艺流程、测试等全流程技术服务能力。
2023-08-11 17:00
沟槽栅结构是一种改进的技术，指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小，与平面栅相比，沟槽栅
2023-04-27 11:55
的MOSFET设计了一种商标CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两
2018-10-17 16:43
两者因为其栅极都是在外延表面生长出来的平面结构所以都统称为平面栅MOSFET。还有另外一种结构是把栅极构建在结构内部，挖出来的沟槽里面，叫做沟槽型
2023-06-25 17:19
横向导电的MOSFET，如下图所示，这个结构及其工作原理以前的文章介绍过：功率MOSFET的结构及特点，其由三个电极：G栅极、D漏极和S源极组成。图1：平面横向导电MOSFET灰色Gate栅极的宽度
2017-01-06 14:46
1）更高集成的功率场效应管——沟槽结构器件2）沟槽型功率管参数的提升3）沟槽型功率管在工程实践中的运用
2010-06-28 08:39
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48
