DDR接口速率越来越高,每一代产品都在挑战工艺的极限,对DDR PHY的训练要求也越来越严格。本文从新锐IP企业芯耀辉的角度,谈谈DDR PHY训练所面临的挑战,介绍芯耀辉DDR PHY训练的主要过程和优势,解释了芯耀
2024-01-05 10:27
等方面的挑战,如何保证产品达成静电防护能力的需求指标?本文将分享芯耀辉静电防护团队的经验及应对策略。 先进工艺带来的挑战 芯片级别的静电防护,我们通常是指HBM(人体放电模式),MM(机器放电模式)和CDM(充电放电模式),其中
2022-05-23 16:49