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型号：20N60<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 20N60CFD-VB TO247 产品简介20N60CFD-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有

2024-07-09 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD65R950<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB 品牌：微碧

### 一、IPD65R950CFD-VB 产品简介IPD65R950CFD-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET，封装为 TO252，设计用于高压和中等电流应用。它具有 650V 的漏源击穿

2025-08-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20N60<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 20N60CFD-VB TO220 产品简介20N60CFD-VB TO220 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于高压和高电流应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术

2024-07-09 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：24N60<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 24N60CFD-VB 产品简介**24N60CFD-VB** 是一款单极性 N-Channel MOSFET，采用 TO220 封装，具有高电压和高电流处理能力。它采用

2024-07-10 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：47N60<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB 品牌：微碧

### 47N60CFD-VB MOSFET产品简介47N60CFD-VB是一款高压N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO247封装。它具有600V的漏源电压承受能力，适用于需要高电压

2024-11-11 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20N60<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 20N60CFD-VB TO220F MOSFET 产品简介#### 一、产品简介VBsemi的20N60CFD-VB TO220F是一款单N-沟道MOSFET，采用

2024-07-09 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15N60<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB TO247 品牌：微碧

### 15N60CFD-VB TO247 产品简介**产品简介**：15N60CFD-VB是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO247封装。该器件设计用于高压开关和控制应用，具有优秀

2024-07-06 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD65R1K4<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB 品牌：微碧

### IPD65R1K4CFD-VB MOSFET 产品简介IPD65R1K4CFD-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET，封装类型为 TO252，专为高电压应用设计。它支持高达 650V

2025-08-27 12:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD65R660<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介：IPD65R660CFD-VB是一款高耐压单N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于需要高电压和中等电流的应用。其最大漏源电压（VDS）为700V，能够处理高达±30V的栅

2025-08-27 13:57 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPD65R420<b class='flag-s-7'>CFD</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介IPD65R420CFD-VB 是一款高电压、高电流能力的单N沟道 MOSFET，封装为 TO252。它具有700V的漏源电压（VDS），±30V的栅源电压（VGS），以及3.5V

2025-08-27 13:47 微碧半导体VBsemi 企业号