https://www.bilibili.com/video/BV18F411k7Sv/?p=7&spm_id_from=pageDriver 视频介绍见上面链接，有完整的，从无到有
2023-11-16 22:31
的。那么下管导通瞬间，是发生在下管的Rdson从无穷大到很小的过程中的。那么下管突然导通，M点的电压肯定会被拉低，既然被拉低，必然有一个回路存在。如下图所示：上期回顾：从无到有
2021-07-09 09:55
也是几乎没有变化，理想情况下，我们就认为它们是不变的。那么，到了某一时刻（t3），米勒平台效应就会结束。在米勒平台期间，MOS管的DS内阻Rdson在逐渐变小。图片太多，完整见附件:上期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（四）
2021-06-02 10:37
中的数据进行对比，观察是否在MOSFET的安全工作区域内。当VDS电压在100V时，如果测到的ID电流在2.1A~6A这个区间，那么MOSFET只能承受10ms，越往上时间越短。只要在实线区域内，MOSFET都是安全的，不受时间的限制。前期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（十五）
2021-09-07 15:27
方式，MOSFET是有Rdson的，假设Rdson不变的情况下，是否可以在MOSFET两端通过对Rdson两端的电压来检测电流呢？所以，在大电流的情况下，可以借用Rdson做检流电阻，做电流的采样。前期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（十一）
2021-08-03 11:11
--> M2 --> 310V的地OFF期间（下桥）：M2斩波，M1恒通源：UW电感回路：W --> M5 --> M1 --> U续流期间是站在310V上的。这种单桥臂斩波的管子，哪个管子发热会大呢？上期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（九）
2021-07-15 16:55
功率并不小，因为电压高啊。低压MOSFET，Rdson小，一般几mΩ，比如3mΩ，可以做到几十，甚至100A。下篇文章我们来讲一下MOSFET的开通和关断上期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（一）
2021-05-07 10:11
降。这个电压越高，表示体二极管的续流损耗就越大。trr：体二极管反向恢复时间。Qrr：体二极管反向恢复充电电量。与充电时间成正比的，越小越好。前期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（十四）
2021-09-01 17:10
的影响。VSD：源极到漏极的正向导通压降。这个电压越高，表示体二极管的续流损耗就越大。trr：体二极管反向恢复时间。Qrr：体二极管反向恢复充电电量。与充电时间成正比的，越小越好。前期回顾：从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（十三）
2021-08-16 11:07
一点的电阻，但也不能是KΩ级的，否则平台时间按长，发热也大。从另一方面说，米勒平台是一个危险区域，希望快速通过，所以Igs驱动电流就要大。这个驱动电流Igs要和栅极电阻以及米勒电容匹配好，一般都是100R~330R。前期回顾： 【原创分享】从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（六）
2021-06-23 10:24
