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型号：CGHV1<b class='flag-s-7'>J006D</b>-GP4 品牌：

CGHV1J006D 是碳化硅衬底上的高压氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；使用 0.25-μm 栅极长度的制造工艺。这种 GaN-on-SiC 产品提供卓越的高频；高效率的特点

2022-05-18 14:36 立年电子科技 企业号

型号：CMPA1<b class='flag-s-7'>C1D060D</b> 品牌：

CMPA1C1D060D 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，位于碳化硅衬底上；使用 0.25-μm 栅极长度的制造工艺。与硅相比

2022-06-27 17:02 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C6D16065D</b> 品牌：

C6D16065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-06-01 21:57 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C6D20065D</b> 品牌：

C6D20065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-06-01 22:37 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C3D30065D</b> 品牌：

C3D30065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-06-02 18:01 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C3D20065D</b> 品牌：

C3D20065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-06-01 22:26 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C3D16065D</b> 品牌：

C3D16065D为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-06-01 21:45 立年电子科技 企业号

型号：CMPA1<b class='flag-s-7'>D1J</b>001S 品牌：

CMPA1D1J001S：高性能毫米波放大器在现代通信和雷达系统中，CMPA1D1J001S 是一款备受青睐的高性能毫米波放大器。它采用先进的 GaN 技术，确保了卓越的功率输出和频率响应。技术参数

2024-08-25 01:42 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C3D16065D</b>1 品牌：

C3D16065D1为650 V 分立碳化硅肖特基二极管。碳化硅 (SiC) 650 V 肖特基二极管技术针对高性能电力电子应用进行了优化；包括服务器电源；电动汽车充电系统；储能系统；太阳能（PV

2022-06-01 21:39 立年电子科技 企业号

型号：CMPA601<b class='flag-s-7'>J025D</b> 品牌：

on SiC 生产工艺。CMPA601J025 系列的工作频率为 6 – 18 GHz，支持各种终端应用，例如电子战、测试仪器、雷达和通用放大器。CMPA601J0

2023-08-03 15:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号