氮化镓（GaN）MOS管，是一种基于氮化镓材料制造的金属氧化物半导体场效
2024-01-10 09:32
氮化镓（GaN）MOS管是一种新型的功率器件，它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点，逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥
2024-01-10 09:29
氮化镓（GaN）MOS（金属氧化物半导体）管驱动芯片是一种新型的电子器件，它采用氮化
2023-12-27 14:43
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2024-01-09 17:26
氮化镓mos管普通的驱动芯片可以驱动吗？ 当涉及到驱动氮化镓（GaN）
2023-11-22 16:27
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2024-01-10 09:30
作为第三代功率半导体的绝世双胞胎，氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益受到
2023-10-07 16:21
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS
2023-09-19 14:50
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）晶体
2023-02-12 17:09
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2023-11-21 16:15
