氮化镓作为材料，而硅芯片则采用硅作为材料。氮化镓具有优秀的物理特性，包括
2024-01-10 10:08
氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、
2024-01-09 18:06
氮化镓（GaN）芯片是一种新型的半导体材料，由氮化镓制成。它具有许多优越的特性，例如高电子迁移率、高耐压、
2024-01-10 10:13
之前的砷化镓(GaAs)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)一样，氮化镓(GaN)是一项革命性技术，在实现未来的射频
2022-03-22 13:01
氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通
2023-11-06 09:39
景和技术需求。 氮化镓（GaN）的优势 高频与高效率 ：氮化
2024-09-02 11:37
硅基氮化镓作为第三代化合物半导体材料，主要应用于功率器件，凭借更小体积、更高效率对传统硅材料进行替代。预计中短期内
2023-02-06 16:44
氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化
2024-01-09 18:06
与传统的金属氧化物（LDMOS）半导体相比，硅基氮化镓的性能优势十分明显——提供的有效功率可超过70%，每个单位面积的功率提升了4~6倍数，从而降低整体功耗，并且很重要的是能够扩展至
2018-11-10 11:29
