更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化镓
2023-06-15 15:32
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有
2023-06-15 14:17
极限。而上限更高的氮化镓，可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。 随着全球能量需求的不断增加，采用氮化
2023-06-15 15:47
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
2023-06-15 16:03
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工
2017-09-04 15:02
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是，
2023-06-15 15:41
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。 氮化镓功率
2023-06-15 15:53
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率
2023-06-15 15:28
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（6
2023-06-15 15:35
。氮化镓的性能优势曾经一度因高成本而被抵消。最近，氮化镓凭借在硅基氮化
2017-08-15 17:47
