氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和
2024-01-10 10:08
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点
2023-11-21 16:15
氮化镓是目前全球最快功率开关器件之一，氮化镓本身是第三代的半导体材料，许多特性都比传统硅基半导体更强。
2023-02-05 12:48
。 与硅芯片相比： 1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基
2023-08-21 17:06
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、
2023-06-15 14:17
氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、
2023-12-27 14:58
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化
2023-06-15 15:32
氮化镓芯片是目前世界上速度最快的电源开关器件之一。氮化镓本身就是第三代材料，很多特性都强于传统的
2023-09-11 17:17
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是
2023-06-15 15:53
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
2023-06-15 16:03
