时间。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造
2023-06-15 15:32
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、
2023-06-15 14:17
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。 氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片氮化
2023-06-15 15:47
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
2023-06-15 16:03
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率
2023-06-15 15:28
工艺，以制造出可预测性能特性和故障率的可复制氮化镓器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 计划，WBST计划严重倾向于军事应用，不计成本地追求所需性能，但是，随着
2017-08-15 17:47
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化
2017-09-04 15:02
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。 又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓
2023-06-15 15:50
超低的电阻和电容，开关速度可提高一百倍。 为了充分利用氮化镓功率芯片的能力，电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后，
2023-06-15 15:53
。 与硅芯片相比： 1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一 2、尺寸为硅芯
2023-08-21 17:06
