作为第三代半导体的核心材料之一，GaN其主要有三个特性——开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻。它在充电器上的优势主要体现在：体积小，重量轻；功率密度大，效率高但不容易发热；手机、笔记本都能充，兼容多个设备。
2023-02-12 17:16
，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓
2023-11-21 16:15
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有
2023-06-15 14:17
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
2023-06-15 16:03
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化镓
2023-06-15 15:32
氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化
2023-11-24 16:49
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率
2023-06-15 15:28
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化
2021-09-14 08:35
氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材
2023-02-05 11:43
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片
2023-10-26 17:02
