的晶体管”。 伊斯曼和米什拉是对的。氮化镓的宽带隙（使束缚电子自由断裂并有助于传导的能量）和其他性质让我们能够利用这种材料承受高电场的能力，制造性能空前的器件。 如今，氮化
2023-02-27 15:46
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。 因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化
2023-06-15 15:50
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。 更重要的是，
2023-06-15 15:41
转换器，将性能与两种可比场景进行了比较：第一种是所有三种晶体管类型都在500KHz谐振频率下工作，第二种是500KHz基于GaN的LLC与基于100KHz硅的LLC。主要晶体管是
2023-02-27 09:37
SiC、蓝宝石、AlN和原生块体氮化镓。不过，所有这些材料价格昂贵，而最常用的透明电路基板——玻璃，则非常便宜。 我们的解决方案是一个两步式制程，可在玻璃基板上形成氮化镓
2020-11-27 16:30
2000 年代初就已开始，但 GaN 晶体管仍处于起步阶段。 毫无疑问，它们将在未来十年内取代功率应用中的硅晶体管，但距离用于数据处理应用还很远。 Keep Tops氮化镓
2023-08-21 17:06
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化
2024-01-19 09:27
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓
2023-06-15 15:53
下游客户的应用而占领市场。但是下游客户面临的应用场景复杂多样，尽管芯片原厂提供了应用方案的原理图、甚至是PCB参考设计，在下游客户手中仍然会遇到各种各样的技术难题而导致项目停滞不前。每当这个时候，下游
2023-02-01 14:52
