氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）
2023-02-12 17:09
作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓
2025-02-27 18:26
氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：
2023-02-09 16:59
一个器件的成本效益，从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 （Aluminum Nitride/Al），隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化
2023-02-08 09:57
TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 （GaN） HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化
2012-12-19 10:19
什么是氮化镓晶体管？它有什么作用？硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）
2023-02-08 09:52
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面
2023-05-25 16:11
