氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：
2023-02-09 16:59
氮化镓晶体管显然对高速、高性能MOSFET器件构成了非常严重的威胁。氮化镓上硅（GaN on Si）
2023-02-12 17:09
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化
2023-11-21 16:15
作为第三代半导体的天之骄子，氮化镓晶体管日益引起工业界的重视，且被更大规模应用
2023-02-07 17:13
法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。
2023-02-08 17:39
氮化镓晶体管的并联设计总结 先上链接，感兴趣的朋友可以直接下载： *附件：氮化镓
2025-02-27 18:26
一个器件的成本效益，从生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。在硅基板上有一层薄薄的氮化铝 （Aluminum Nitride/Al），隔离了器件结构和基底。这个隔离层能隔离300V电压。在这隔离层上是一层厚厚的氮化
2023-02-08 09:57
TriQuint半导体公司（纳斯达克代码：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓 （GaN） HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化
2012-12-19 10:19
雪崩晶体管作为一种特殊的半导体器件，在电子领域具有其独特的优缺点。
2024-09-23 18:05
晶体管输出和继电器输出的优缺点 晶体管输出和继电器输出是两种常见的输出方式，它们都有它们自己的优点和缺点。在不同的电路方案中，选择适当的输出方式可帮助电路性能更好的实现
2023-08-25 15:35
