的结构通常采用六方晶系，属于闪锌矿型结构。在氮化镓晶体中，镓原子和氮原子交替排列，形成紧密堆积的晶格结构。氮化
2024-01-10 10:18
氮化镓（GaN）是一种非常坚硬、机械稳定的宽带隙半导体。基于GaN的功率器件具有更高的击穿强度、更快的开关速度、更高的导热性和更低的导通电阻，其性能明显优于硅基器件。氮化镓
2022-12-09 09:54
什么是氮化镓晶体管？它有什么作用？硅功率MOSFET还没有跟上电力电子行业的发展变化，在这个行业中，效率、功率密度和更小的形式等因素是社区的主要需求。电力电子工业已经达到硅MOSFET的理论极限
2020-05-24 11:30
（GaN）。在这些潜在材料中，氮化镓或氮化镓正得到广泛认可和青睐。这是因为GaN晶体管与材料
2022-12-13 10:00
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层
2024-01-09 18:06
氮化镓（氮化镓）是一种半导体材料，是一种用于制造光电子器件的高性能晶体。它的优点是可以提供高功率、低成本、高性能和高
2023-02-13 16:28
摘要：栅极控制能力是决定氮化镓高电子迁移率晶体管性能的关键因素。然而在金属-氮化镓界面，金属和半导体的直接接触会导致界面
2023-05-25 16:11
氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放
2023-05-26 10:10
氮化镓（GaN）和砷化镓（GaAs）都是半导体材料领域的重要成员，它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而，要判断哪个更先进，并不是一个简单的二元对立问题，因为它们的先进性取决于具体的应用场
2024-09-02 11:37
电源转换器的设计人员正在寻找提高效率同时增加系统功率密度的方法。 宽带隙 (WBG) 技术提供了答案。 由氮化镓 (GaN) 制成的晶体管作为一种解决方案正变得越来越流行，但与其硅对应物一样，单个
2022-08-04 09:35
