两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端
2020-10-27 09:28
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。 又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓单晶薄膜的
2023-06-15 15:50
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、
2023-06-15 14:17
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33
% 的峰值效率，以及 19dB 的增益。在无线基站市场，该性能使得氮化镓可以撼动LDMOS在基站功率放大器领域几十年来的主导地位，并对基站性能和运营成本产生了深远的影响。氮化
2017-08-15 17:47
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显，增加。因为它与传统的硅技术相比，不仅性能优异，应用范围广泛，而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中，传统硅器件在能量转换方面，已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。 应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域
2023-06-15 15:28
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化
2023-06-15 15:41
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱
2019-07-31 06:53
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出
2022-11-16 07:42
