氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化
2023-02-05 14:50
氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材
2023-02-05 11:43
氮化镓功率器件及其应用(二)TI用氮化镓器件实现的DCDC设计方案
2019-04-03 06:13
氮化镓工艺技术是什么意思？ 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的
2023-02-05 10:24
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主
2024-01-10 10:09
样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点和缺点有哪些呢？
2023-02-05 11:31
硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层，为中间产物。氮化
2023-02-11 11:31
氮化镓工艺发展现状 氮化镓是当前发展最成款的竞禁带半导体材料，世界各国对氮化
2023-02-03 14:58
氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材料，而得到
2023-02-05 15:01
GaN驱动技术手册免费下载 氮化镓半导体功率器件门极驱动电路设计方案
2025-03-13 18:06
