氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材料，而得到
2023-02-05 15:01
硅基氮化镓外延生长是在硅片上经过各种气体反应在硅片上层积几层氮化镓外延层，为中间产物。氮化
2023-02-11 11:31
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止
2023-02-05 14:50
时间。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方
2023-06-15 15:32
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。 氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片氮化
2023-06-15 15:47
硅基氮化镓是一种由硅和氮化镓组成的复合材料，它具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零
2023-02-14 15:26
工艺，以制造出可预测性能特性和故障率的可复制氮化镓器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 计划，WBST计划严重倾向于军事应用，不计成本地追求所需性能，但是，随着
2017-08-15 17:47
(86) ，因此在正常体温下，它会在人的手中融化。 又过了65年，氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代，制造氮化镓
2023-06-15 15:50
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、
2023-06-15 14:17
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化
2023-06-15 15:41
