氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电
2023-02-05 11:43
样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点
2023-02-05 11:31
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化
2021-09-14 08:35
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化
2023-02-05 14:50
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化
2017-09-04 15:02
时间。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化
2023-06-15 15:32
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、
2023-06-15 14:17
氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材
2023-02-05 15:01
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化
2023-06-15 15:41
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱
2019-07-31 06:53
