样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点
2023-02-05 11:31
氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电
2023-02-05 11:43
，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓
2023-11-21 16:15
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化
2023-02-05 14:50
什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体
2023-11-24 11:05
氮化镓（GaN）芯片是一种新型的功率半导体器件，具有很多优点和一些缺点。以下是关于氮化
2024-01-10 10:16
氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材
2023-02-05 15:01
氮化镓充电器什么意思？氮化镓充电器的优点？氮化
2023-11-21 16:15
硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓
2023-02-06 16:44
相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，
2023-07-31 15:16
