样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点
2023-02-05 11:31
氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电
2023-02-05 11:43
，氮化镓芯片具有许多优点和优势，同时也存在一些缺点。本文将详细介绍氮化镓
2023-11-21 16:15
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化
2021-09-14 08:35
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化
2023-02-05 14:50
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化
2017-09-04 15:02
时间。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化
2023-06-15 15:32
什么是氮化镓 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体
2023-11-24 11:05
eMode硅基氮化镓技术，创造了专有的AllGaN™工艺设计套件（PDK），以实现集成氮化镓 FET、
2023-06-15 14:17
工艺，以制造出可预测性能特性和故障率的可复制氮化镓器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 计划，WBST计划严重倾向于军事应用，不计成本地追求所需性能，但是，随着化合物半导体提供商不断完善其生产
2017-08-15 17:47
