氮化镓工艺优点是什么呢？ AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是开关功率晶体管的有希望的候选者，因为它们具有高的断态击穿强度以及导通状态下的优异沟道导电性。这些特征是GaN的特殊物理特性与其异质结构材
2023-02-05 11:43
样的背景下，一种新型的功率半导体——氮化镓（GaN）的出现，那么氮化镓工艺优点和缺点有哪些呢？
2023-02-05 11:31
氮化镓工艺发展现状 氮化镓是当前发展最成款的竞禁带半导体材料，世界各国对氮化
2023-02-03 14:58
氮化镓具有大禁带宽度、高电子饱和速率、高击穿电场、较高热导率、耐腐蚀以及抗辐射性能等优点，从而可以采用氮化镓制作半导体材料，而得到
2023-02-05 15:01
为了产生绿光，LED制造商通常将磷光体或量子点转换材料应用在天然蓝色LED上。然后，这些材料将短波长（通常为450nm）蓝光转换为红色或绿色波长，转换效率通常为10-30％。
2019-04-16 16:13
近日，北方华创微电子成功获得了位于苏州的一家知名化合物半导体公司批量采购订单，订单包括了ELEDE® 330SG刻蚀机、SW GDE C200刻蚀机、 EPEE550 PECVD在内的数十台设备。
2018-09-04 14:17
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化
2017-09-04 15:02
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体（纳斯达克代码：TQNT），今天发布了15款新型氮化镓（ GaN ）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓
2013-07-01 11:20
5G系统，因为频率越高，氮化镓的优势越明显。但对于手机而言，氮化镓材料还有很多难题需要解决，例如功耗、散热与成本。 不同工艺
2016-08-30 16:39
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化
2023-02-05 14:50
