氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有
2023-06-15 14:17
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化镓
2023-06-15 15:32
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控
2023-06-15 16:03
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。
2021-09-14 08:35
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LD
2019-07-08 04:20
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器
2017-09-04 15:02
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。 禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带
2023-06-15 15:41
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化
2023-06-15 15:47
满足军方对小型高功率射频器件的需求，WBST 计划在一定程度上依托早期氮化镓在蓝光 LED 照明应用中的成功经验。为了快速跟踪氮
2017-08-15 17:47
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以说
2023-06-15 15:53
