氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上，能有
2023-06-15 14:17
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。 更快：氮化镓
2023-06-15 15:32
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控
2023-06-15 16:03
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器
2017-09-04 15:02
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向
2023-06-15 15:53
的 3 倍多，所以说氮化镓拥有宽禁带特性（WBG）。 禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场。氮化镓比传统硅材料更大的禁带宽度，使它具有非常细窄的耗尽区，从而可以开发出载
2023-06-15 15:41
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LD
2019-07-08 04:20
车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。本分会的主题涵盖大尺寸衬底上横向或纵向氮化镓器件外延结构与生长、氮化
2018-11-05 09:51
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化
2021-09-14 08:35
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化
2023-06-15 15:47
