氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41
）合影留念当我们中的许多人正努力了解氮化镓的现状时，而天野浩老师已经在规划它的未来了。现在，随着氮化镓发光二极管在工业中运作良好，天野浩老师接受了一个新的挑战，那就是如何充分开发这种材料的潜能。他解释
2018-08-30 15:47
吸波材料已不能满足民用、尤其是军事应用需求。因此，研制更薄、更轻、频带更宽的新型吸波材料已成为当前的紧迫课题。超材料（Metamaterial，MTM）是近年来电磁领域的研究
2019-05-28 07:01
今年7月，东南大学有序物质科学研究中心研究团队发现了一类新型分子压电材料，首次在压电性能上达到了传统无机压电材料的水平，这一材料
2020-08-19 07:58
本文中，主要对近年来左手材料在天线领域中的应用进行小结，探讨左手材料对天线性能有哪些影响？以便对下一步的深入研究工作打好基础。
2019-08-01 08:23
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03
