，传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限，使得宽禁带半导体
2018-11-05 09:51
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等
2017-06-16 10:37
材料的代表，宽禁带材料SiC和GaN相对于前两代半导体
2017-02-22 14:59
及新能源汽车要求在600V-1200V，而轨道交通要求最高，范围在3300V-6500V之间。图表4 功率半导体器件的应用及工作频率（来源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模块，常见类型有IGBT类本文来源：来源：
2019-02-26 17:04
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑 整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费电子
2018-02-12 15:11
`我司专业生产制造半导体包装材料。晶圆硅片盒及里面的填充材料一批及防静电屏蔽袋。联系方式：24632085`
2016-09-27 15:02
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓
2021-09-14 08:35
电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件
2021-09-09 06:29
（GaN）和碳化硅（SiC）晶体管等化合物半导体器件限制了高频条件下的开关损耗，加速了电路越来越小的趋势。事实上，高频操作导致电子电路的收缩，这要归功于减小的磁性
2023-09-06 06:38
的电子工程是一个崭新的领域，主要研究真空管中的电荷运动。如今，电子学研究的内容一般包括晶体管和晶体管电路。微电子学研究集成电路（IC）技术，它能够在一块半导体
2018-02-08 18:13
