本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能
2023-11-27 17:15
)半导体器件有可能实现更高电压的电子设备。候选UWBG半导体包括氮化铝(AlN)、立方氮化硼和金刚石，但在过去十年中，研究活动增加最多的可能是氧化镓(Ga2O3)。这种兴趣的部分原因是由于其4.85
2022-11-29 14:46
西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化
2019-01-10 15:27
氧化镓（Ga2O3 ）是性能优异的超宽禁带半导体材料，不仅临界击穿场强大、饱和速度高，而且具有极高的 巴利加优值和约翰逊优值，在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于 Ga2O3射频器件
2025-06-11 14:30
氧化镓应用范围从实现可用到可靠的组件，最后再到可插入可持续市场基础设施等各个方面。但Ga2O3还是存在一个重要的直接缺点：它的导热率很低（10-30 W/m-K，对比SiC 330 W/m-K
2019-01-24 11:47
氧化镓有5种同素异形体，分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化镓）最为稳定，当加热至一定高温时，其他亚稳态均转换为β相，在熔点1800℃时必为β相。目前
2023-03-12 09:23
超宽带隙(UWBG)半导体相比si和宽带隙材料如SiC和GaN具有更优越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化镓正逐渐展现出其在高压电力电子领域的未来应用潜力。本文总结了氧化
2024-06-18 11:12 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
氧化镓（Ga2O3）探测器是一种基于超宽禁带半导体材料的光电探测器，主要用于日盲紫外光的探测。其独特的物理化学特性使其在多个应用领域中展现出广泛的前景。
2024-11-08 13:49
β-Ga2O3晶体因其卓越的材料性能，在深紫外光电探测以及超高压功率器件方面优势非常明显。β-Ga2O3禁带宽度为4.9eV，吸收截止边位于250 nm处，紫外透过率可达80%以上，并且具有良好的化学稳定性和热稳定性。因此，β-Ga2O3晶体自身便满足“日盲”光电器件的需求，避免了合金化等复杂问题，在深紫外固态光电器件研究领域优势非常突出。
2019-01-10 15:22
晶体生长使用的原料为氧化镓粉末，纯度99.999%，采用中频感应加热，铱金发热体、铱金模具，铱 金坩埚周围放置氧化锆作为保温材料。
2022-11-23 11:06
